可一次性检查第三代半导体 SIC 等材料表面,背面和内部的缺陷,可探测*小缺陷为100 纳米,主要用于半导体光罩、 LCD 大型光罩的石英玻璃表面、内部、背面的缺陷检查 。
列真公司在半导体光罩检测设备上积累了独自技术, 主产品 LODAS ™系列具有日本权的激光检测技术,可同时探测收集激光的反射光,透射光以及共聚焦,可一次性检查第三代半导体 SIC 等材料表面,背面和内部的缺陷,可探测*小缺陷为100 纳米,主要用于半导体光罩、 LCD 大型光罩的石英玻璃表面、内部、背面的缺陷检查 。将此项技术运用于第三代半导体材料的缺陷检查,将提升量产成品率将具有重要意义。
应用: SiC、GaN
半导体光罩(石英玻璃与涂层)、
石英Wafer Si Wafer
HDD Disk LT Wafer
蓝宝石衬底、
EUV光罩、
光罩防尘膜
可全面检测 表面、内部、背面的缺陷
外延缺陷
胡萝卜型缺陷
彗星缺陷
三角缺陷
边缘缺陷
衬底缺陷
微管缺陷
层错缺陷
六方空洞缺陷
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晶圆缺陷检测系统LODAS
可一次性检查第三代半导体 SIC 等材料表面,背面和内部的缺陷,可探测*小缺陷为100 纳米,主要用于半导体光罩、 LCD 大型光罩的石英玻璃表面、内部、背面的缺陷检查 。
列真公司在半导体光罩检测设备上积累了独自技术, 主产品 LODAS ™系列具有日本权的激光检测技术,可同时探测收集激光的反射光,透射光以及共聚焦,可一次性检查第三代半导体 SIC 等材料表面,背面和内部的缺陷,可探测*小缺陷为100 纳米,主要用于半导体光罩、 LCD 大型光罩的石英玻璃表面、内部、背面的缺陷检查 。将此项技术运用于第三代半导体材料的缺陷检查,将提升量产成品率将具有重要意义。
应用: SiC、GaN
半导体光罩(石英玻璃与涂层)、
石英Wafer Si Wafer
HDD Disk LT Wafer
蓝宝石衬底、
EUV光罩、
光罩防尘膜
可全面检测 表面、内部、背面的缺陷
外延缺陷
胡萝卜型缺陷
彗星缺陷
三角缺陷
边缘缺陷
衬底缺陷
微管缺陷
层错缺陷
六方空洞缺陷